Mittelsachsen sind die Besten – Freiberger überzeugen mit nachhaltiger Grundlagenforschung.

Über die Fördermittelzuwendung des Bundesministeriums für Bildung und Forschung (BMBF) zum innovativen Einsatz energieeffizienter Materialen im Telekommunikationssektor informiert die mittelsächsische CDU-Bundestagsabgeordnete und stellvertretendes Mitglied im Ausschuss für Wirtschaft und Technologie, Veronika Bellmann:

„Auf meine Frage, ob denn aus anderen Landkreisen die Förderprogramme ebenso umfangreich genutzt würden, antwortete der Parlamentarische Staatssekretär Thomas Rachel anerkennend: „Der Wahlkreis Mittelsachsen ist der Beste!“ Über so viel Lob freue ich mich für die Fördermittelempfänger in mittelsächsischen Unternehmen, Bildungs- und Forschungseinrichtungen, weil sie beweisen, wie effektiv und notwendig die von uns verantworteten Programme sind.

Mit den jüngsten Mittelzuwendungen gehört der Freiberger Raum zu den erfolgreichsten Drittmitteleinwerbern in Sachsen. Die Freiberger Compound Materials GmbH (FCM) erhält für das Teilprojekt TeleGaN – Untersuchung zur Entwicklung des Materials Galliumnitrid (GaN) eine Forschungsförderung in Höhe von 1.299.059,25 Euro. Das Vorhaben startet am 1. Januar 2012 und endet am 31. Dezember 2014. Ziel ist es, die weitere Verwendung von Galliumnitrid zu erforschen, welches von Fachleuten der Mikroelektronik als ein wichtiges Halbleitermaterial der Zukunft angesehen wird. Bereits heute wird es – in Form weißer und blauer Leuchtdioden – in energiesparenden Lichtquellen eingesetzt. Im Mobilfunkbereich wird GaN eine sehr große Rolle beim effizienten Verstärken und schnellen Übertragen von Informationen spielen. Ein sehr großes Markpotential besitzt GaN außerdem für verlustarme, hocheffiziente Leistungsbauelemente zum Wandeln von elektrischer Energie. Anwendungsbereiche sind die Energieversorgung für zukünftige Elektroautos, Stromwandler für Solarzellen oder die Leistungsversorgung für die Sendeelektronik in Mobilfunk-Basisstationen.“

In Deutschland wurde in den letzten Jahren eine Technologie zur Herstellung von freistehenden GaN-Wafern entwickelt, die für die Produktion von GaN-Dioden benötigt werden. Im Verbundprojekt TeleGaN sollen die erwarteten Leistungssteigerungen der Bauelemente realisiert werden. Das Projektvolumen von rund 7 Millionen Euro wird vom BMBF mit insgesamt 4,9 Millionen Euro gefördert.

Berlin, den 30. November 2011
Veronika Bellmann (V.i.S.d.P.)


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